GaTe/InSe 异质结将光响应延伸到短波红外
两种材料叠成结后，在 1064 纳米和 1550 纳米均测到了无需制冷的光响应。
Tailei Qi 等人将 GaTe 与 InSe 薄片垂直叠合，使一种材料的价带和另一种材料的导带形成交错排列。层间跃迁所需的能量可以低于单层材料内部的带隙，为更长波长的光响应打开通道。
器件在 1064 纳米和 1550 纳米均测到了信号，作者据此讨论了 II 型能带排列对短波红外探测的作用。参与合作的作者包括南科大的张立源。文章于 2019 年 10 月在线发表，收入期刊 2020 年卷。