2020Advanced Functional Materials

Interlayer Transition in a vdW Heterostructure toward Ultrahigh Detectivity Shortwave Infrared Photodetectors

Tailei Qi, Youpin Gong, Alei Li, Xiaoming Ma, Peipei Wang, Rui Huang, Chang Liu, Ridwan Sakidja, Judy Z. Wu, Rui Chen, Liyuan Zhang

Advanced Functional Materials · 30, 1905687 (2020)

论文介绍

GaTe 与 InSe 垂直堆叠后，研究人员在 1064 nm 和 1550 nm 均观察到未制冷器件的光响应。作者将超出单个组分带隙限制的波长范围与 II 型能带排列允许的层间跃迁联系起来。

异质结在这里不只是两种吸光材料的叠加：电子与空穴分布在不同层时，可以出现新的跃迁能量。区分单层的吸收边与叠层器件的截止波长，是阅读这项机制解释的入口。