少层 ZrTe₅ 器件呈现二维整数量子霍尔效应
保护容易在加工中退化的薄片，使研究者得以分辨霍尔平台，并观察到与体能隙有关的零能态。
ZrTe₅ 薄片在暴露于空气或加工时容易退化，这给少层器件的输运测量带来了困难。合作团队改善了样品保护，低温下空穴迁移率达到约 3,500 cm²/(V·s)。在磁场中，填充因子为 1 时，霍尔电导接近一个电导量子，同时纵向电导出现明显极小值。
汤方栋 制备器件并完成输运测量。按照论文的贡献声明，南方科技大学张立源参与研究构思和数据分析；通讯作者为马克斯·普朗克固体研究所的 Jürgen H. Smet。论文在线发表于《Nano Letters》。