Nano Letters
Two-Dimensional Quantum Hall Effect and Zero Energy State in Few-Layer ZrTe₅
Nano Letters · 21, 5998-6004 (2021)
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论文介绍
几层厚的 ZrTe₅ 在空气和加工过程中容易劣化。作者改善器件制备，使低温空穴迁移率达到约 3500 cm²/(V·s)，从而在强磁场下分辨出整数霍尔平台。他们还观察到与体能隙相关的零能态，并讨论能隙中可能存在的无能隙拓扑态。
图形摘要
阅读赏析
可以把两个问题分开读。第一，薄片是否已经足够洁净，能显现二维朗道量子化？霍尔电导平台与纵向电导极小值在同一填充因子出现，给出了相互支持的证据。第二，零能态意味着什么？这里的结论依赖输运特征的解释，其证据性质和直接测量零场边缘电流不同。