2019Advanced Materials

Ultrahigh-Sensitive Broadband Photodetectors Based on Dielectric Shielded MoTe₂/Graphene/SnS₂ p–g–n Junctions

Alei Li, Qianxue Chen, Peipei Wang, Yuan Gan, Tailei Qi, Peng Wang, Fangdong Tang, Judy Z. Wu, Rui Chen, Liyuan Zhang, Youpin Gong

Advanced Materials · 31, 1805656 (2019)

论文介绍

作者把 p 型 MoTe₂、石墨烯和 n 型 SnS₂ 叠成结，并用六方氮化硼从两侧封装。不同半导体层提供互补的光吸收，结区有助于分离光生电荷。器件在室温下对 405 至 1550 nm 的光产生了可测响应。

这个结构把两个常被混在一起的问题拆开了：哪些光子能被吸收，以及吸收后能有多少电荷到达电极。读性能图时，应把波长、入射功率和偏压一起看；在某一条件下取得的峰值响应度，不能直接推广到整个探测波段。期刊卷首插画适合识别层叠结构，定量性能仍应回到原文曲线。