ZrTe₅ 薄片的三种磁输运信号在同一温度附近转变
样品从 42 纳米增厚至 89 纳米时，特征温度从约 200 K 降至约 160 K。
Zhijian Xie 等人在不同厚度的 ZrTe₅ 薄片上测量纵向电阻、霍尔响应以及平行磁场下的磁输运。原本取自不同测量方式的三个信号，却在同一块样品的同一温度附近同时发生变化。南科大王培培和张立源参与了这项合作。
厚度为 42 纳米与 89 纳米的样品对应的特征温度相差约 40 K。作者提出，温度驱动的拓扑转变可能是三种信号共同变化的原因，这为进一步检验这一解释提供了多种独立观测量。