表面氧化改变薄层 MoTe₂ 的电输运
暴露在空气中的薄片趋向绝缘，氮化硼保护的薄片则在低温发生超导转变。
Yuan Gan、张立源等人比较了直接暴露的 1T′-MoTe₂ 薄片和由六方氮化硼保护的薄片。没有封装的样品随厚度减小逐渐呈现绝缘行为，其磁阻也受到抑制；受保护样品在低温仍可出现超导转变。
为判断这些变化究竟来自厚度还是表面化学反应，作者将输运结果同原位扫描隧道显微镜测量和能带计算对照。三种方法共同指向表面氧化对能隙及输运的影响。
暴露在空气中的薄片趋向绝缘，氮化硼保护的薄片则在低温发生超导转变。
Yuan Gan、张立源等人比较了直接暴露的 1T′-MoTe₂ 薄片和由六方氮化硼保护的薄片。没有封装的样品随厚度减小逐渐呈现绝缘行为，其磁阻也受到抑制；受保护样品在低温仍可出现超导转变。
为判断这些变化究竟来自厚度还是表面化学反应，作者将输运结果同原位扫描隧道显微镜测量和能带计算对照。三种方法共同指向表面氧化对能隙及输运的影响。