拉伸同一块 ZrTe₅ 微晶，追踪拓扑态的转变

Apurva Gaikwad、张立源等人对 ZrTe₅ 微晶施加可调单轴应变，再测量电子输运随磁场的振荡。不同应变下的数据将弱拓扑绝缘体、无能隙狄拉克半金属和强拓扑绝缘体三个状态联系起来。

振荡的振幅还包含自旋信息。作者发现，应变会改变与自旋有关的贝里相位；描述磁场引起的能级分裂时，必须把这一相位对振幅的影响考虑进去。