GdTe₃ 薄片变薄后，电荷密度波出现在更高温度
在变温拉曼测量中，块体的转变温度为 377 K，约 10 nm 厚的薄片达到 431 K。
Yani Chen 等人测量了块体和薄片 GdTe₃ 在不同温度下的拉曼光谱。结合晶格振动计算，他们区分了普通振动峰与电荷密度波形成时出现的光谱特征。
沿着这些特征追踪温度变化，作者发现，把样品减薄到约 10 nm 后，电荷密度波转变温度比块体高出 54 K。南科大张立源参与了这项合作研究。
在变温拉曼测量中，块体的转变温度为 377 K，约 10 nm 厚的薄片达到 431 K。
Yani Chen 等人测量了块体和薄片 GdTe₃ 在不同温度下的拉曼光谱。结合晶格振动计算，他们区分了普通振动峰与电荷密度波形成时出现的光谱特征。
沿着这些特征追踪温度变化，作者发现，把样品减薄到约 10 nm 后，电荷密度波转变温度比块体高出 54 K。南科大张立源参与了这项合作研究。