薄至 5 nm，FeTe₀.₅₅Se₀.₄₅ 仍保持接近块体的超导转变温度
薄片的转变温度只略微下降，磁场对超导的影响则显著依赖施加方向。
汤方栋等人把 FeTe₀.₅₅Se₀.₄₅ 单晶剥离成超薄器件。样品减薄到 5 nm 时，其厚度已接近超导相干长度，转变温度却仍接近块体的数值。
沿薄片平面和垂直方向施加磁场时，破坏超导所需的场强差异明显。作者结合输运与点接触谱测量，辨认出准二维超导特征。南科大张立源参与了这项合作。
薄片的转变温度只略微下降，磁场对超导的影响则显著依赖施加方向。
汤方栋等人把 FeTe₀.₅₅Se₀.₄₅ 单晶剥离成超薄器件。样品减薄到 5 nm 时，其厚度已接近超导相干长度，转变温度却仍接近块体的数值。
沿薄片平面和垂直方向施加磁场时，破坏超导所需的场强差异明显。作者结合输运与点接触谱测量，辨认出准二维超导特征。南科大张立源参与了这项合作。