FeSb₂ 晶体里的锑夹杂物留下量子振荡信号
输运与磁力矩测量表明，解读这类晶体的低温数据时，需要分清主体材料和内部锑晶体的贡献。
汤方栋等人测量了用锑助熔剂生长的 FeSb₂ 晶体。在低温电流扫描中，样品出现负微分电阻，即电流继续增大时，器件两端的电压反而下降。
作者同时转动磁场方向，追踪磁力矩中的量子振荡。振荡的角度依赖性指向晶体中有取向的锑夹杂物，说明归属振荡来源时需要考虑生长过程中留下的锑。张立源为该研究的合作者。
输运与磁力矩测量表明，解读这类晶体的低温数据时，需要分清主体材料和内部锑晶体的贡献。
汤方栋等人测量了用锑助熔剂生长的 FeSb₂ 晶体。在低温电流扫描中，样品出现负微分电阻，即电流继续增大时，器件两端的电压反而下降。
作者同时转动磁场方向，追踪磁力矩中的量子振荡。振荡的角度依赖性指向晶体中有取向的锑夹杂物，说明归属振荡来源时需要考虑生长过程中留下的锑。张立源为该研究的合作者。