ZrTe₅ 薄片减薄，主要载流子由电子转为空穴
霍尔测量和量子振荡显示，约 40 nm 厚度附近，电子和空穴对输运的相对贡献发生了交叉。
汤方栋等人比较了不同厚度 ZrTe₅ 薄片在磁场下的电输运。霍尔信号反映主要载流子的电荷符号，量子振荡进一步提供了有关费米面的信息。
较厚样品的输运主要由电子贡献，减薄到约 40 nm 以下后，空穴转而占主导。作者据此指出，比较不同样品的输运数据时，厚度会影响对主要载流子的判断。张立源参与了这项研究。
霍尔测量和量子振荡显示，约 40 nm 厚度附近，电子和空穴对输运的相对贡献发生了交叉。
汤方栋等人比较了不同厚度 ZrTe₅ 薄片在磁场下的电输运。霍尔信号反映主要载流子的电荷符号，量子振荡进一步提供了有关费米面的信息。
较厚样品的输运主要由电子贡献，减薄到约 40 nm 以下后，空穴转而占主导。作者据此指出，比较不同样品的输运数据时，厚度会影响对主要载流子的判断。张立源参与了这项研究。